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华尔街见闻
大摩称,HBM“溢价神话”面临挑战,2026年将出现激烈竞争和定价压力,SK海力士在英伟达市场份额预计从85-90%降至50%以上。在美联储降息预期和宏观环境改善背景下,市场资金正从AI驱动的HBM转向传统存储板块,大摩特别看好传统DRAM的投资价值。
大摩最新预警全球内存市场重大转变即将到来:HBM(高带宽内存)的“溢价神话”正面临挑战,而传统存储产品面临周期性修复机遇。
8月14日,据追风交易台消息,摩根士丹利在最新研报中称,随着HBM市场竞争加剧和定价压力显现,传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续的增长。
该行指出,HBM定价环境正快速变化,2026年将出现重大份额转移和竞争加剧,但短期内风险看似已得到控制,云服务资本开支数据向好以及关税缓解预期,为HBM收益回归正常和可持续水平创造条件。
在宏观环境改善的背景下,特别是美国CPI数据温和推高降息预期,市场资金正从AI驱动的内存股转向对经济敏感的传统内存板块。大摩预计,如果美联储降息、经济增长预期改善,偏好传统商品内存而非HBM,特别看好传统DRAM。
HBM竞争加剧:“溢价神话”面临挑战
定价压力显现。大摩渠道调研显示,SK海力士与英伟达的HBM3E 12hi合约定价谈判中,价格区间仍在每立方440美元左右(1.69美元/Gb),但谈判仍在进行中尚未最终确定。
更值得关注的是HBM4的定价动态。大摩渠道调研显示,HBM4定价已敲定在590-600美元区间(2.3-2.34美元/Gb),但大摩认为这不太可能是全年承诺合同。大摩强调:
关键在于,如果三星通过HBM4资格认证,定价将面临进一步折扣压力,季度谈判模式可能成为常态。
市场份额重新洗牌。大摩认为,最重要的市场变化是份额重新分配,预计SK海力士在英伟达市场的份额将从2025年的85-90%下降至2026年的50%以上,主要源于三星和美光日益激烈的竞争。
大摩指出,三星的追赶步伐超出预期。据供应链调研,三星已向主要客户发送HBM4早期样品,预计8月底前向英伟达提交最终产品。其1c制程工艺爬坡顺利,良率显著改善,为打破SK海力士垄断创造了条件。
传统存储:“周期归来”逻辑渐显
DRAM(动态随机存储)市场短期面临定价压力。在传统DRAM市场,摩根士丹利观察到第三季度合约定价涨幅有所收窄。DDR5主流产品方面,服务器客户接受了2-3%的季度环比涨幅,而部分PC客户为建立库存愿意接受更高定价。
中期前景向好。大摩称,第四季度合约定价涨幅预计将进一步放缓,大多数消费电子客户的DDR5价格可能保持平稳,而AI需求将支撑服务器客户价格实现低至中个位数涨幅。DDR4方面,尽管供应商库存相对精简,但随着客户升级规格并已建立部分库存,涨幅将较第三季度大幅下降。
大摩还注意到,一些客户对生产商第三季度DDR5合约5-10%的涨价要求表示抵制,近期交易多在中低个位数水平。这表明传统DRAM市场的定价能力正在减弱,但周期性底部可能正在形成。
NAND(闪存)市场呈现明显分化特征。在NAND市场,大摩表示,3季度合约定价以环比上涨3-5%敲定,低于此前市场预期的5-10%涨幅。PC客户面临5-10%涨价,智能手机UFS/eMMC(嵌入式存储技术)基本持平,eSSD(企业级固态硬盘)需求环比上升3-5%。
4季度将出现AI与非AI需求分化。大摩指出,TrendForce预计综合ASP环比下降0-5%,主要受PC和智能手机消费需求疲软拖累。但企业级SSD强劲需求有望延续至2026年上半年,随着AI基础设施在推理应用上的扩展和AI资本支出保持强劲,eSSD定价预计4季度上涨0-5%。
摩根士丹利预计,企业级SSD(固态硬盘)定价在2025年第四季度将上涨0-5%。QLC NAND(闪存的一种类型)替代HDD(机械硬盘)的进程可能在2026年下半年加速,Meta正引领采用更多企业级SSD的进展。随着HDD交货周期延长至约一年,许多服务器客户正寻求近线QLC企业级SSD解决方案。
摩根士丹利在报告中表示,基于定价前景考虑,更偏好商品内存而非HBM产品,特别是传统DRAM。
值得注意的是,大摩强调宏观因素对内存股的重要影响。美国CPI数据向好推高美联储降息预期,如果经济增长预期转好、利率确实下降,那么反向交易逻辑开始显现,市场可能轮动至被严重低估的传统商品内存股。
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